NTJD5121NT1G MOSFET NFET SC88D 60V 295mA
♠ Faʻamatalaga o oloa
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Vaega o oloa: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Tecnologia: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | SC-88-6 |
| Polaridad del transistor: | N-Alāvai |
| Numero o canales: | 2 Alavai |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 60 V |
| Id - Corriente dedrenaje continua: | 295 mA |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 1.6 Ohms |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 1 V |
| Qg - Carga de puerta: | 900 pC |
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55C |
| Temperatura de trabajo maxima: | + 150C |
| Dp - Dispación de potencia : | 250 mW |
| alavai Modo: | Fa'aleleia |
| Empaquetado: | Reel |
| Empaquetado: | Oti le lipine |
| Empaquetado: | MouseReel |
| Mareko: | onsemi |
| Fa'atonu: | Lua |
| Taimi o le caída: | 32 ns |
| Altura: | 0.9 mm |
| Longitud: | 2 mm |
| Ituaiga o oloa: | MOSFET |
| Taimi o lalo: | 34 ns |
| Fa'asologa: | NTJD5121N |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
| So'ai vaega: | MOSFETs |
| Ituaiga Transistor: | 2 N-Alāvai |
| Taimi e toe fa'atali ai galuega fa'atino: | 34 ns |
| Fa'ailoga fa'apitoa: | 22 ns |
| Ancho: | 1.25 mm |
| Peso de la unidad: | 0.000212 oz |
• Maulalo RDS(on)
• Faitotoa Maulalo
• Maualalo Ulufale Gapa
• Faitotoa Puipuia ESD
• NVJD Prefix mo Ta'avale ma isi Talosaga e Mana'omia ai Suiga Tulaga Tulaga ma Manaomia Suiga;AEC−Q101 Agavaa ma PPAP Avanoa
• Ole mea lea ole Pb−Free Device
• Suiga Uta Itu Maulalo
• DC−DC Lisi (Buck ma Boost Circuit)
