FDN335N MOSFET SSOT-3 N-CH 20V
♠ Faʻamatalaga o oloa
Atributo del producto | Valor de atributo |
Fabricante: | onsemi |
Vaega o oloa: | MOSFET |
RoHS: | Detalles |
Tecnologia: | Si |
Estilo de montaje: | SMD/SMT |
Paquete / Cubierta: | SSOT-3 |
Polaridad del transistor: | N-Alāvai |
Numero o canales: | 1 alavai |
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 20 V |
Id - Corriente dedrenaje continua: | 1.7 A |
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 55 mOhm |
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 8 V, + 8 V |
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 400 mV |
Qg - Carga de puerta: | 5 nC |
Temperatura de trabajo mínima: | - 55C |
Temperatura de trabajo maxima: | + 150C |
Dp - Dispación de potencia : | 500 mW |
alavai Modo: | Fa'aleleia |
Numera fa'atauga: | PowerTrench |
Empaquetado: | Reel |
Empaquetado: | Oti le lipine |
Empaquetado: | MouseReel |
Mareko: | onsemi / Fairchild |
Fa'atonu: | Nofofua |
Taimi o le caída: | 8.5 ns |
Transconductancia hacia delante - Mín.: | 7 S |
Altura: | 1.12 mm |
Longitud: | 2.9 mm |
Oloa: | MOSFET Laititi Faailoga |
Ituaiga o oloa: | MOSFET |
Taimi o lalo: | 8.5 ns |
Fa'asologa: | FDN335N |
Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
So'ai vaega: | MOSFETs |
Ituaiga Transistor: | 1 N-Alāvai |
Tipo: | MOSFET |
Taimi e toe fa'atali ai galuega fa'atino: | 11 ns |
Fa'ailoga fa'apitoa: | 5 ns |
Ancho: | 1.4 mm |
Alias de las piezas n.º: | FDN335N_NL |
Peso de la unidad: | 0.001058 oz |
♠ N-Alāvai 2.5V Fa'amaonia PowerTrenchTM MOSFET
O lenei N-Channel 2.5V MOSFET faʻamaonia e gaosia e faʻaaoga ai le ON Semiconductor's Advanced PowerTrench process lea na faʻapitoa e faʻaogaina e faʻaitiitia ai le teteʻe i luga o le setete ae tumau pea le totogi maualalo o le faitotoa mo le maualuga o le suiga.
• 1.7 A, 20 V. RDS(ON) = 0.07 Ω @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 2.5 V.
• Maualalo le totogi o le faitotoa (3.5nC masani).
• Fa'atekonolosi fa'alava maualuga mo le RDS(ON).
• Malosiaga maualuga ma le gafatia o le taimi nei e taulimaina.
• Fa'aliliu DC/DC
• Kisi uta