FDD86102LZ MOSFET 100V N-Alāvai PowerTrench MOSFET

Fa'amatalaga Puupuu:

Tufuga: ON Semiconductor
Vaega o oloa: Transistors - FETs, MOSFETs - Nofofua
Pepa Fa'amatalaga:FDD86102LZ
Faʻamatalaga: MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
RoHS tulaga: RoHS Compliant


Fa'amatalaga Oloa

Faailoga o oloa

♠ Faʻamatalaga o oloa

Atributo del producto Valor de atributo
Fabricante: onsemi
Vaega o oloa: MOSFET
RoHS: Detalles
Tecnologia: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: DPAK-3
Polaridad del transistor: N-Alāvai
Numero o canales: 1 alavai
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 100 V
Id - Corriente dedrenaje continua: 42 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 31 mOhm
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
Qg - Carga de puerta: 26 nC
Temperatura de trabajo mínima: - 55C
Temperatura de trabajo maxima: + 150C
Dp - Dispación de potencia : 54 W
alavai Modo: Fa'aleleia
Numera fa'atauga: PowerTrench
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Oti le lipine
Empaquetado: MouseReel
Mareko: onsemi / Fairchild
Fa'atonu: Nofofua
Transconductancia hacia delante - Mín.: 31 S
Altura: 2.39 mm
Longitud: 6.73 mm
Ituaiga o oloa: MOSFET
Fa'asologa: FDD86102LZ
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
So'ai vaega: MOSFETs
Ituaiga Transistor: 1 N-Alāvai
Ancho: 6.22 mm
Peso de la unidad: 0.011640 oz

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  • Sosoo ai:

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